Är växlarnas och emitterterminaler utbytbara? Om inte, vad är den fysiska skillnaden mellan sändaren och samlaren?


Svar 1:

Lånat från:

http: //www.nptel.ac.in/courses/1 ...

Biploar transistor:

En transistor är i princip en Si- eller Ge-kristall som innehåller tre separata regioner. Det kan vara antingen NPN eller PNP. 1. Det mellersta området kallas basen och de två yttre områdena kallas emitter och samlaren. De yttre skikten, även om de är av samma typ, men deras funktioner kan inte ändras. De har olika fysiska och elektriska egenskaper. I de flesta transistorer är emitter kraftigt dopad. Dess uppgift är att avge eller injicera elektroner i basen. Dessa baser är lätt dopade och väldigt tunna, den överför de flesta av de emitterinsprutade elektronerna till kollektorn. Dopningsnivån för kollektorn är mellanliggande mellan den tunga dopningen av emitter och den lätta dopningen av basen. Samlaren heter så eftersom den samlar elektroner från basen. Samlaren är den största av de tre regionerna; det måste sprida mer värme än emittern eller basen. Transistorn har två korsningar. En mellan emitter och bas och annan mellan bas och kollektor. På grund av detta liknar transistorn två dioder, en emitterdiod och en annan kollektorbasdiod.

Figur 1

När transistor görs, ger diffusionen av fria elektroner över korsningen två utarmningsskikt. För vart och ett av dessa utarmningsskikt är spärrpotentialen 0,7 V för Si-transistor och 0,3 V för Ge-transistor. Nedtarmningsskikten har inte samma bredd, eftersom olika regioner har olika dopingnivåer. Ju mer dopad en region är, desto större är koncentrationen av joner nära korsningen. Detta innebär att utarmningsskiktet tränger djupare in i basen och något in i emitter. På samma sätt penetrerar det mer i samlaren. Tjockleken på kollektorutarmningsskiktet är stor medan basutarmningsskiktet är liten såsom visas i fig. 2.

Fig. 2


Svar 2:

De kommer att ha olika dopningsegenskaper. Kanske viktigare är att samlaren kommer att sprida mer av spillvärmen och har därför en lägre värmebeständighetsväg till fallet. Om jag minns rätt från min halvledarelektronikkurs för 30 år sedan finns det fysiska skillnader i storleken på basens emitterkorsning i motsats till baskollektorkorsningen.

Jag tror att transistorn kommer att fungera omvänd, men inte bra. Om du verkligen var nyfiken kan du alltid ta två små signaltransistorer och generera kurvor för båda. Vänd sedan en av dem och kör en ny uppsättning kurvor. Min förutsägelse är att den omvända transistorn har lägre förstärkning och mer läckage samt en större, kanske permenant, förändring av egenskaper med värme.


Svar 3:

De kommer att ha olika dopningsegenskaper. Kanske viktigare är att samlaren kommer att sprida mer av spillvärmen och har därför en lägre värmebeständighetsväg till fallet. Om jag minns rätt från min halvledarelektronikkurs för 30 år sedan finns det fysiska skillnader i storleken på basens emitterkorsning i motsats till baskollektorkorsningen.

Jag tror att transistorn kommer att fungera omvänd, men inte bra. Om du verkligen var nyfiken kan du alltid ta två små signaltransistorer och generera kurvor för båda. Vänd sedan en av dem och kör en ny uppsättning kurvor. Min förutsägelse är att den omvända transistorn har lägre förstärkning och mer läckage samt en större, kanske permenant, förändring av egenskaper med värme.